英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
• 凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长• 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生
2024-09-13 10:58:17
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2024-05-31 16:52:56
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2024-05-15 17:43:36
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2024-04-28 10:43:51
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